| 型号： | IRF7507TR | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| IRF7507TR PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.4A，1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 140 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装 | Micro8? |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | IRF7507DKR |